近日，據韓國媒體報道，韓國光子技術研究院（KOPTI）宣布成功研發出高效精細Micro LED，Micro LED內部量子效率均可保持90%的范圍內，并且不受芯片尺寸大小和不同的注入電流密度的影響。

20μm Micro LED電流-電壓曲線和發射圖像（圖片來源：KOPTI）

這款Micro LED由光學半導體顯示研究部的Jong hyup Baek博士團隊、Woong ryeol Ryu博士帶領的ZOGAN Semi團隊和漢陽大學納米光電子學系的Jong in Shim教授共同開發打造，產品解決了Micro LED因芯片尺寸縮小以及注入電流增加而導致的發光效率迅速下降的問題。

據悉，20μm尺寸以下的Micro LED不僅發光效率迅速下降，而且在驅動顯示面板所需的低電流范圍（0.01A/cm²～1A/cm²）內，Micro LED非發光復合損耗顯著增加。目前，業界通過在芯片側面導入鈍化工藝可一定程度緩解上述問題，但并不能從根本上解決。

20μm、10μm藍光Micro LED的內部量子效率 (IQE) 根據電流密度的變化

KOPTI介紹，本次研究團隊通過新結構減輕了外延層中的應力，提高了發光效率，并抑制了Micro LED在任何外部電場或結構下的物理應力變化。因此，即使Micro LED尺寸減小，新結構可依舊顯著降低表面非發光復合損耗并保持了高發光效率，且無需采用鈍化工藝。

目前，團隊已成功驗證高效精細Micro LED在藍光，以及氮化鎵綠光、紅光器件上的應用，未來有望通過該技術生產全彩氮化鎵Micro LED顯示器。